MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-2 110 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
DeepGate, STripFET
Type de boîtier
H2PAK-2
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
117 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.57mm
Taille
4.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 876,36
€ 1,876 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
117 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.57mm
Taille
4.8mm
Température de fonctionnement minimum
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Pays d'origine
China
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