MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-2 110 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
DeepGate, STripFET
Type de boîtier
H2PAK-2
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
117 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
10.57mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.8mm
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 7,44
€ 3,722 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 7,44
€ 3,722 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
2
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,722 | € 7,44 |
| 10 - 18 | € 3,535 | € 7,07 |
| 20 - 48 | € 3,182 | € 6,36 |
| 50 - 98 | € 2,864 | € 5,73 |
| 100+ | € 2,728 | € 5,46 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
DeepGate, STripFET
Type de boîtier
H2PAK-2
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
117 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
10.57mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.8mm
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.