MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-2 110 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
DeepGate, STripFET
Type de boîtier
H2PAK-2
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
10.57mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
117 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,81
€ 3,403 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,403 | € 6,80 |
| 10 - 18 | € 3,231 | € 6,46 |
| 20 - 48 | € 2,912 | € 5,82 |
| 50 - 98 | € 2,62 | € 5,24 |
| 100+ | € 2,495 | € 4,99 |
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N
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110 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
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Type de boîtier
H2PAK-2
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
10.57mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
117 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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