MOSFET N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK DeepGate, STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK
Séries
DeepGate, STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.9mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
117nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.57 mm
Taille
4.8mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 900,14
€ 1,90 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
117nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
10.57 mm
Taille
4.8mm
Longueur
10.4mm
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No
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No
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China
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