MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK 110 A Enrichissement 100 V, 3 broches STH150N10F7-2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.9mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
117nC
Tension directe Vf
1.2V
Température de fonctionnement maximale
175°C
Largeur
10.57 mm
Hauteur
4.8mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,88
€ 3,439 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,439 | € 6,88 |
| 10 - 18 | € 3,266 | € 6,53 |
| 20 - 48 | € 2,943 | € 5,89 |
| 50 - 98 | € 2,649 | € 5,30 |
| 100+ | € 2,522 | € 5,04 |
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110A
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H2PAK
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Surface
Nombre de broches
3
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3.9mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
117nC
Tension directe Vf
1.2V
Température de fonctionnement maximale
175°C
Largeur
10.57 mm
Hauteur
4.8mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
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No
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