MOSFET N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK-2 STH200
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK-2
Séries
STH200
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
4mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
93nC
Dissipation de puissance maximum Pd
340W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 716,26
€ 3,716 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Séries
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
4mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
93nC
Dissipation de puissance maximum Pd
340W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum d'utilisation
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