MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-6 180 A 80 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
180 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type de boîtier
H2PAK-6
Séries
STripFET H7
Type de montage
CMS
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum
21 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
315 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
193 nC @ 10 V
Température de fonctionnement maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
15.25mm
Taille
4.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
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STripFET H7
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CMS
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7
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
193 nC @ 10 V
Température de fonctionnement maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
15.25mm
Taille
4.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
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