MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-6 180 A 80 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
180 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
STripFET H7
Type de boîtier
H2PAK-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
21 mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
315 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
15.25mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
193 nC @ 10 V
Température maximum de fonctionnement
+175 °C
Hauteur
4.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
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H2PAK-6
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CMS
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7
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Mode de canal
Enhancement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
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Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
15.25mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
193 nC @ 10 V
Température maximum de fonctionnement
+175 °C
Hauteur
4.8mm
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Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
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