Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK
Séries
STripFET H7
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2.3mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
180nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.8mm
Longueur
15.8mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,54
€ 3,768 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 7,54
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
2
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STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK
Séries
STripFET H7
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2.3mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
180nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.8mm
Longueur
15.8mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.


