MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 786-3707PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STH310N10F7-2
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

180 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Série

STripFET H7

Type de boîtier

H2PAK-2

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

2,3 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

315 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

10.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.8mm

Charge de Grille type @ Vgs

180 nF @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

4.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 7,46

€ 3,728 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Disponible en multiples de 2.

Production -

Disponible en multiples de 2.

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2

Disponible en multiples de 2
2€ 7,46
4€ 14,91
6€ 22,37
8€ 29,82
10€ 37,28
12€ 44,74
14€ 52,19
16€ 59,65
18€ 67,10
20€ 74,56
22€ 82,02
24€ 89,47
26€ 96,93
28€ 104,38
30€ 111,84

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3

Résistance Drain Source maximum

2,3 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

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Configuration du transistor

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Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

10.4mm

Matériau du transistor

Si

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Longueur

15.8mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Hauteur

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