MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK 180 A Enrichissement 100 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK
Séries
STripFET H7
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
2.3mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
180nC
Tension directe Vf
1.3V
Température maximale d'utilisation
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.8mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 3 263,24
€ 3,263 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
180nC
Tension directe Vf
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Température maximale d'utilisation
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Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.8mm
Longueur
15.25mm
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No
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Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
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