MOSFET de puissance N STMicroelectronics 397 A 60 V Enrichissement, 2 broches, H2PAK-2 STH
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Power MOSFET
Type de canal
N channel
Courant continu de Drain maximum Id
397A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
STH
Type de montage
Surface Mount
Nombre de broches
2
Résistance Drain Source maximum Rds
1.2mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
230nC
Dissipation de puissance maximum Pd
341W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
9.3mm
Hauteur
4.7mm
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 600,13
€ 2,60 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Série
STH
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
230nC
Dissipation de puissance maximum Pd
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Température d'utilisation minimale
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