MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK 2.5 A Enrichissement 1500 V, 3 broches STH3N150-2

N° de stock RS: 792-5861Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STH3N150-2
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

1500V

Séries

MDmesh

Type de Boitier

H2PAK

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

29.3nC

Dissipation de puissance maximum Pd

140W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température maximale d'utilisation

150°C

Largeur

15.8 mm

Longueur

10.4mm

Hauteur

4.8mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 8,19

€ 4,096 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)

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Surface

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3

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Enrichissement

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140W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

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Largeur

15.8 mm

Longueur

10.4mm

Hauteur

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