Canal N MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-7 51 A 650 V Enrichissement, 7 broches STH65N050DM9-7AG

N° de stock RS: 481-127Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STH65N050DM9-7AG
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

51A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

H2PAK-7

Série

STH65N

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Canal N

Largeur

24.3 mm

Longueur

15.25mm

Normes/homologations

AEC-Q101

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China

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€ 3 836,14

€ 3,836 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)

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Série

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Surface

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Largeur

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