MOSFET STMicroelectronics canal N, I2PAK (TO-262) 32 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
32 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
I2PAK (TO-262)
Séries
MDmesh M2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
56,5 nC @ 10 V
Taille
9.35mm
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Prix sur demande
Standard
1
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Type de montage
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
56,5 nC @ 10 V
Taille
9.35mm
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
China
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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