Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 HV 5,5 A 600 V, 8 broches

N° de stock RS: 192-4825Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STL10N60M6
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

5.5 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Type de boîtier

PowerFLAT 5 x 6 HV

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

660 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.75V

Tension de seuil minimale de la grille

3.25V

Dissipation de puissance maximum

48 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±25 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5mm

Longueur

6mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,8 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.6V

Taille

0.95mm

Pays d'origine

China

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€ 11,77

€ 2,353 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 2,353€ 11,77
25 - 45€ 2,211€ 11,05
50 - 120€ 2,097€ 10,48
125 - 245€ 1,98€ 9,90
250+€ 1,88€ 9,40

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N

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5.5 A

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

660 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.75V

Tension de seuil minimale de la grille

3.25V

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48 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±25 V

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1

Largeur

5mm

Longueur

6mm

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Température d'utilisation maximum

150 °C

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