MOSFET N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Série
STripFET H7
Type de Boitier
PowerFLAT
Type de montage
Montage en surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation minimale
-55°C
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
5.4mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Taille
0.95mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 576,19
€ 1,192 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation minimale
-55°C
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
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Longueur
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Normes/homologations
IEC 60664-1
Taille
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