MOSFET STMicroelectronics canal Type N, PowerFLAT 110 A Enrichissement 100 V, 8 broches STL110N10F7
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Séries
STripFET H7
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Tension directe Vf
1.2V
Température maximale d'utilisation
175°C
Largeur
6.35 mm
Hauteur
0.95mm
Longueur
5.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,95
€ 1,989 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
5
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PowerFLAT
Séries
STripFET H7
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Surface
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8
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Tension directe Vf
1.2V
Température maximale d'utilisation
175°C
Largeur
6.35 mm
Hauteur
0.95mm
Longueur
5.4mm
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No
Standard automobile
No
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Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
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