MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 140 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
140 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET F7
Type de boîtier
PowerFLAT 5 x 6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.2mm
Hauteur
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 17,52
€ 1,752 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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CMS
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8
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.2mm
Hauteur
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
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Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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