MOSFET STMicroelectronics canal Type N, PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV 2.2 A Enrichissement 600 V, 8 broches STL3NM60N
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
2.2A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV
Séries
MDmesh II
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
1.5Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
9.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
22W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
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€ 2 529,93
€ 0,843 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Température minimum de fonctionnement
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Dissipation de puissance maximum Pd
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