MOSFET canal Type P STMicroelectronics 60 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
PowerFLAT
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
19mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
100W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
5.4 mm
Hauteur
0.95mm
Longueur
6.35mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 925,04
€ 0,642 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
100W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
5.4 mm
Hauteur
0.95mm
Longueur
6.35mm
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No
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No
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China
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