MOSFET STMicroelectronics canal Type N, PowerFLAT 20 A Enrichissement 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Séries
STripFET F3
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
50mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20.5nC
Tension directe Vf
1.3V
Température maximale d'utilisation
175°C
Largeur
5.2 mm
Hauteur
0.95mm
Longueur
6.15mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 2 550,55
€ 0,85 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20.5nC
Tension directe Vf
1.3V
Température maximale d'utilisation
175°C
Largeur
5.2 mm
Hauteur
0.95mm
Longueur
6.15mm
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No
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
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