MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 20 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
STripFET F3
Type de boîtier
PowerFLAT 5 x 6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
50 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.2mm
Longueur
6.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 2 529,85
€ 0,843 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Enrichissement
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70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Largeur
5.2mm
Longueur
6.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Pays d'origine
China
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