MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 20 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
STripFET F3
Type de boîtier
PowerFLAT 5 x 6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
50 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 13,93
€ 1,393 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 1,393 | € 13,93 |
| 30 - 90 | € 1,355 | € 13,55 |
| 100 - 490 | € 1,067 | € 10,67 |
| 500 - 990 | € 0,85 | € 8,50 |
| 1000+ | € 0,829 | € 8,28 |
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N
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20,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
STripFET F3
Type de boîtier
PowerFLAT 5 x 6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
50 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
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