MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 90 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
STripFET F7
Type de boîtier
PowerFLAT 5 x 6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
5.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
94 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
0.95mm
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 12,51
€ 1,251 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 12,51
€ 1,251 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 1,251 | € 12,51 |
| 20+ | € 1,188 | € 11,88 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
STripFET F7
Type de boîtier
PowerFLAT 5 x 6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
5.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
94 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
0.95mm
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.