MOSFET canal Type N STMicroelectronics 400 mA 600 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 MDmesh, SuperMESH Non

N° de stock RS: 687-5131Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STN1HNK60Distrelec Article No.: 304-43-897
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

400mA

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

SOT-223

Séries

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

3.3W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum d'utilisation

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.5 mm

Hauteur

1.8mm

Longueur

6.5mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Séries

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Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

3.3W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum d'utilisation

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

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Largeur

3.5 mm

Hauteur

1.8mm

Longueur

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