MOSFET STMicroelectronics canal Type N, SOT-223 400 mA Enrichissement 600 V, 4 broches STN1HNK60

N° de stock RS: 687-5131Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STN1HNK60
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

400mA

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

SOT-223

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

3.3W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température de fonctionnement maximale

150°C

Longueur

6.5mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.5 mm

Hauteur

1.8mm

Distrelec Product Id

304-43-897

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 7,85

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Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

3.3W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température de fonctionnement maximale

150°C

Longueur

6.5mm

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No

Largeur

3.5 mm

Hauteur

1.8mm

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