Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
400 mA
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.25V
Dissipation de puissance maximum
3,3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
7 nC @ 10 V
Hauteur
1.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,82
€ 0,782 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 7,82
€ 0,782 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 0,782 | € 7,82 |
| 20+ | € 0,743 | € 7,43 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
400 mA
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.25V
Dissipation de puissance maximum
3,3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
7 nC @ 10 V
Hauteur
1.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


