Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
SuperMESH
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicon
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
SuperMESH
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicon
Pays d'origine
China


