Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
250 mA
Tension Drain Source maximum
800 V
Type d'emballage
SOT-223-5
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
16 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
7,7 nC @ 10 V
Largeur
3.5mm
Taille
1.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1,58
€ 0,158 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 1,58
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Paquet de production (Bobine)
10
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STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
250 mA
Tension Drain Source maximum
800 V
Type d'emballage
SOT-223-5
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
16 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
7,7 nC @ 10 V
Largeur
3.5mm
Taille
1.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit