MOSFET STMicroelectronics canal N, SOT-223 250 mA 800 V, 3 broches

N° de stock RS: 714-1076PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STN1NK80Z
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

250 mA

Tension Drain Source maximum

800 V

Type d'emballage

SOT-223-5

Séries

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

16 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

2.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.5mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

7,7 nC @ 10 V

Largeur

3.5mm

Taille

1.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 1,58

€ 0,158 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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N

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250 mA

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800 V

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Séries

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

16 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

2.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.5mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

7,7 nC @ 10 V

Largeur

3.5mm

Taille

1.8mm

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