MOSFET STMicroelectronics canal Type N, SOT-223 250 mA Enrichissement 800 V, 4 broches STN1NK80Z
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
250mA
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
SOT-223
Type de montage
Surface
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
16Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
7.7nC
Température de fonctionnement maximum
150°C
Longueur
6.5mm
Normes/homologations
No
Largeur
3.5 mm
Hauteur
1.8mm
Standard automobile
No
Distrelec Product Id
304-43-898
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1,59
€ 0,159 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 1,59
€ 0,159 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,159 | € 1,59 |
| 100 - 490 | € 0,119 | € 1,19 |
| 500 - 990 | € 0,101 | € 1,01 |
| 1000+ | € 0,081 | € 0,81 |
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Type N
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Type de Boitier
SOT-223
Type de montage
Surface
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
16Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Température de fonctionnement maximum
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Longueur
6.5mm
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No
Largeur
3.5 mm
Hauteur
1.8mm
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No
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