MOSFET STMicroelectronics canal P, SOT-223 3 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
STripFET
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
1.1V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.8mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 31,79
€ 0,636 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,636 | € 6,36 |
| 100 - 240 | € 0,571 | € 5,71 |
| 250 - 490 | € 0,514 | € 5,14 |
| 500+ | € 0,489 | € 4,89 |
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P
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
STripFET
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
1.1V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.8mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
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