Transistor MOSFET STMicroelectronics canal P, SOT-223 2,5 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.5 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.5mm
Šířka
3.5mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Série
STripFET
Höhe
1.8mm
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
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±20 V
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Počet prvků na čip
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
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