MOSFET N STMicroelectronics 33 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STO67N60DM6
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
33A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
STO67N60DM6
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
59mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
72.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
11.48mm
Höhe
2.2mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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