MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 33 A Enrichissement 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 206-6067Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STO67N60DM6
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

33A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Série

STO67N60DM6

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

59mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

72.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

9.8 mm

Hauteur

2.2mm

Longueur

11.48mm

Standard automobile

No

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€ 7 463,97

€ 4,147 Each (On a Reel of 1800) (hors TVA)

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Série

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Surface

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3

Résistance Drain Source maximum Rds

59mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

72.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température d'utilisation maximum

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