MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 100 A Enrichissement 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
100A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET F7
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5.6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12.6nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 37,47
€ 0,749 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12.6nC
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
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No
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China
Détails du produit
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Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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