MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 100 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
STripFET F7
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5,6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
12,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.4mm
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 8,93
€ 0,893 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,893 | € 8,93 |
| 50 - 90 | € 0,869 | € 8,69 |
| 100 - 240 | € 0,847 | € 8,47 |
| 250 - 490 | € 0,825 | € 8,25 |
| 500+ | € 0,805 | € 8,05 |
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N
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Séries
STripFET F7
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5,6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
12,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.4mm
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
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Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
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Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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