MOSFET de puissance N STMicroelectronics 100 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Power MOSFET
Type de canal
N channel
Courant continu de Drain maximum Id
100A
Tension Drain Source maximum Vds
80V
Série
STP
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.009Ω
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum d'utilisation
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
Dissipation de puissance maximum Pd
176W
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
15.75mm
Pays d'origine
China
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€ 0,82
€ 0,82 Each (hors TVA)
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