MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 10 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
750 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
115 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
50 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 17,04
€ 3,407 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 17,04
€ 3,407 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,407 | € 17,04 |
| 10 - 95 | € 2,869 | € 14,34 |
| 100 - 495 | € 2,243 | € 11,22 |
| 500 - 995 | € 1,891 | € 9,46 |
| 1000+ | € 1,584 | € 7,92 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
750 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
115 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
50 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.