MOSFET canal Type N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
750mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
50nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.3mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 87,81
€ 1,756 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,756 | € 87,81 |
| 100 - 450 | € 1,366 | € 68,31 |
| 500 - 950 | € 1,161 | € 58,05 |
| 1000 - 4950 | € 0,966 | € 48,30 |
| 5000+ | € 0,913 | € 45,67 |
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Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
750mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
50nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.3mm
Longueur
10.4mm
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