MOSFET N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH

Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
750mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
50nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
60°C
Hauteur
9.3mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,79
€ 3,558 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 17,79
€ 3,558 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,558 | € 17,79 |
| 10 - 95 | € 3,019 | € 15,10 |
| 100 - 495 | € 2,352 | € 11,76 |
| 500 - 995 | € 1,998 | € 9,99 |
| 1000+ | € 1,666 | € 8,33 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
750mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
50nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
60°C
Hauteur
9.3mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Détails du produit

