MOSFET canal Type N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH Non

N° de stock RS: 485-7428Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP10NK60ZFPDistrelec Article No.: 304-42-967
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Séries

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

750mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

35W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

50nC

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6 mm

Hauteur

9.3mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 17,43

€ 3,485 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 5€ 3,485€ 17,43
10 - 95€ 2,959€ 14,80
100 - 495€ 2,304€ 11,52
500 - 995€ 1,957€ 9,79
1000+€ 1,632€ 8,16

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Type de canal

Type N

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10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

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TO-220

Séries

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

750mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

35W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

50nC

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6 mm

Hauteur

9.3mm

Longueur

10.4mm

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No

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