MOSFET N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH

Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de Boitier
TO-220
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
750mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
50nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Taille
9.3mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,38
€ 3,476 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 17,38
€ 3,476 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,476 | € 17,38 |
| 10 - 95 | € 2,951 | € 14,76 |
| 100 - 495 | € 2,297 | € 11,49 |
| 500 - 995 | € 1,952 | € 9,76 |
| 1000+ | € 1,627 | € 8,14 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de Boitier
TO-220
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
750mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
50nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Taille
9.3mm
Standard automobile
No
Détails du produit

