MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 8,6 A 700 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8.6 A
Tension Drain Source maximum
700 V
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.6mm
Taille
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 115,88
€ 2,318 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,318 | € 115,88 |
| 100 - 450 | € 1,861 | € 93,06 |
| 500 - 950 | € 1,648 | € 82,42 |
| 1000 - 4950 | € 1,393 | € 69,65 |
| 5000+ | € 1,339 | € 66,97 |
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N
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Tension Drain Source maximum
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Séries
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Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.6mm
Taille
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
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