MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 8.6 A Enrichissement 700 V, 3 broches

N° de stock RS: 920-8846Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP10NK70ZFP
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

8.6A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

850mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

64nC

Dissipation de puissance maximum Pd

35W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température maximale d'utilisation

150°C

Hauteur

16.4mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.6 mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 87,08

€ 1,742 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 8.6 A Enrichissement 700 V, 3 broches

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QuantitéPrix unitairePar Tube
50 - 50€ 1,742€ 87,08
100 - 450€ 1,399€ 69,95
500 - 950€ 1,239€ 61,93
1000 - 4950€ 1,047€ 52,36
5000+€ 1,007€ 50,36

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Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

8.6A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

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TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

850mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

64nC

Dissipation de puissance maximum Pd

35W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température maximale d'utilisation

150°C

Hauteur

16.4mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.6 mm

Longueur

10.4mm

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No

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