MOSFET canal Type N STMicroelectronics 8.6 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
8.6A
Tension Drain Source maximum Vds
700V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
850mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
64nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 86,67
€ 1,733 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 86,67
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,733 | € 86,67 |
| 100 - 450 | € 1,392 | € 69,62 |
| 500 - 950 | € 1,233 | € 61,64 |
| 1000 - 4950 | € 1,042 | € 52,12 |
| 5000+ | € 1,002 | € 50,12 |
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Type N
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Tension Drain Source maximum Vds
700V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
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850mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
64nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
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No
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