Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
8.6A
Tension Drain Source maximum Vds
700V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
850mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
64nC
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température maximale d'utilisation
150°C
Hauteur
16.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 87,08
€ 1,742 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 87,08
€ 1,742 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,742 | € 87,08 |
| 100 - 450 | € 1,399 | € 69,95 |
| 500 - 950 | € 1,239 | € 61,93 |
| 1000 - 4950 | € 1,047 | € 52,36 |
| 5000+ | € 1,007 | € 50,36 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
8.6A
Tension Drain Source maximum Vds
700V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
850mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
64nC
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température maximale d'utilisation
150°C
Hauteur
16.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit


