MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 9 A Enrichissement 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
9A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
900mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
72nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Longueur
10.4mm
Hauteur
9.3mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 97,39
€ 1,948 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 97,39
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,948 | € 97,39 |
| 100 - 450 | € 1,555 | € 77,74 |
| 500 - 950 | € 1,385 | € 69,26 |
| 1000 - 4950 | € 1,171 | € 58,55 |
| 5000+ | € 1,121 | € 56,03 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
72nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
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Largeur
4.6 mm
Longueur
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Hauteur
9.3mm
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