Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 48,01
€ 0,96 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 48,01
€ 0,96 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,96 | € 48,01 |
| 100 - 450 | € 0,752 | € 37,62 |
| 500 - 950 | € 0,631 | € 31,57 |
| 1000 - 4950 | € 0,53 | € 26,49 |
| 5000+ | € 0,498 | € 24,89 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


