Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 11 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type d'emballage
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
35 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
16.4mm
Détails du produit
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
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Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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4.6mm
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Taille
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The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
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