MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 120 A Enrichissement 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Séries
STripFET II
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
10.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
172nC
Dissipation de puissance maximum Pd
312W
Température maximale d'utilisation
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 100,26
€ 2,005 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
172nC
Dissipation de puissance maximum Pd
312W
Température maximale d'utilisation
175°C
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No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
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No
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