MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 80 A Enrichissement 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Séries
STripFET F7
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.2V
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13.6nC
Température de fonctionnement maximum
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 50,19
€ 1,004 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 50,19
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,004 | € 50,19 |
| 100+ | € 0,953 | € 47,66 |
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Séries
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.2V
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13.6nC
Température de fonctionnement maximum
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No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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