Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
MDmesh K5, SuperMESH5
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC@ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15.75mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 16,27
€ 3,254 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
€ 16,27
€ 3,254 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
MDmesh K5, SuperMESH5
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC@ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15.75mm
Détails du produit


