MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 13 A Enrichissement 600 V, 3 broches STP13NK60Z
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
13A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
550mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
66nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
4.6 mm
Longueur
10.4mm
Hauteur
9.15mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,08
€ 1,616 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 8,08
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,616 | € 8,08 |
| 10 - 95 | € 1,382 | € 6,91 |
| 100 - 495 | € 1,07 | € 5,35 |
| 500 - 995 | € 0,907 | € 4,54 |
| 1000+ | € 0,80 | € 4,00 |
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Type N
Courant continu de Drain maximum Id
13A
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TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
550mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
66nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
4.6 mm
Longueur
10.4mm
Hauteur
9.15mm
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No
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